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Si3460DV
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
3 mm
R DS(on) ( Ω )
0.027 at V GS = 4.5 V
0.032 at V GS = 2.5 V
0.038 at V GS = 1.8 V
TSOP-6
Top View
1
6
5
2
I D (A)
6.8
6.3
5.7
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
3
4
2.85 mm
(4) S
Ordering Information: Si3460DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3460DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
20
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
6.8
5.4
20
5.1
4.1
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.7
0.9
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
2.0
1.3
- 55 to 150
1.1
0.73
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
45
90
25
62.5
110
30
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71329
S09-0531-Rev. D, 06-Apr-09
www.vishay.com
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